NVBG040N120SC1
IC
D2PAK-7
可供量大可议
NVBG040N120SC1
特性：典型导通电阻RDS(on) = 40 mΩ。 超低栅极电荷（典型QG(tot) = 106 nC）。 低有效输出电容（典型Cₒₛₛ = 139 pF）。 100%雪崩测试。 通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序能力。 该器件无卤化物， 符合RoHS指令豁免条款7a， 二级互连无铅。 应用：汽车车载充电器。 电动汽车/混合动力汽车的汽车直流-直流转换器
品牌
onsemi
封装
D2PAK-7
库存
1
货期
现货
NVBG040N120SC1参数
| 封装 | D2PAK-7 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
NVBG040N120SC1概述
特性：典型导通电阻RDS(on) = 40 mΩ。 超低栅极电荷（典型QG(tot) = 106 nC）。 低有效输出电容（典型Cₒₛₛ = 139 pF）。 100%雪崩测试。 通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序能力。 该器件无卤化物， 符合RoHS指令豁免条款7a， 二级互连无铅。 应用：汽车车载充电器。 电动汽车/混合动力汽车的汽车直流-直流转换器
NVBG040N120SC1特性
暂无产品特性。
NVBG040N120SC1应用领域
暂无应用领域。