NVBG040N120M3S
IC
D2PAK-7L
可供量大可议
NVBG040N120M3S
特性：典型导通电阻 RDS(on) = 40 mΩ（VGS = 18 V 时）。 超低栅极电荷（QG(tot) = 75 nC）。 低电容高速开关（Cₒₛₛ = 80 pF）。 100% 雪崩测试。 AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力。 该器件无卤化物， 符合 RoHS 豁免 7a 要求， 二级互连无铅。 应用：汽车车载充电器。 电动汽车/混合动力汽车的汽车 DC/DC 转换器
品牌
onsemi
封装
D2PAK-7L
库存
29
货期
现货
NVBG040N120M3S参数
| 封装 | D2PAK-7L |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 29 |
NVBG040N120M3S概述
特性：典型导通电阻 RDS(on) = 40 mΩ（VGS = 18 V 时）。 超低栅极电荷（QG(tot) = 75 nC）。 低电容高速开关（Cₒₛₛ = 80 pF）。 100% 雪崩测试。 AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力。 该器件无卤化物， 符合 RoHS 豁免 7a 要求， 二级互连无铅。 应用：汽车车载充电器。 电动汽车/混合动力汽车的汽车 DC/DC 转换器
NVBG040N120M3S特性
暂无产品特性。
NVBG040N120M3S应用领域
暂无应用领域。