NV24C32MUW3VLTBG
IC
UDFN-8-EP(2x3)
可供量大可议
NV24C32MUW3VLTBG
ON Semiconductor的NV24C32LV是一款32 Kb CMOS串行EEPROM设备， 内部组织为128页， 每页32字节。 支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速加（1 MHz）I2C协议。 该器件具有1.7 V到5.5 V的工作电压范围， 32字节的页写缓冲区， 快速写入时间（最大4毫秒）， 硬件写保护， 低功耗CMOS技术， 1,000,000次编程/擦除周期， 100年的数据保留时间和汽车级1温度范围（-40°C至+125°C）。 提供US-8、UDFN-8、SOIC-8和TSSOP-8封装。
品牌
onsemi
封装
UDFN-8-EP(2x3)
库存
100
货期
现货
NV24C32MUW3VLTBG参数
| 封装 | UDFN-8-EP(2x3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 存储容量 | 32Kbit |
| 写周期时间(Tw) | 4ms |
| 写周期寿命 | 100万次 |
| 工作电压 | 1.7V~5.5V |
| 工作电流 | 1mA |
| 读取访问时间(tA) | 0.4us； 3.5us； 0.9us |
| 商品型号 | NV24C32MUW3VLTBG |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 9.1e-05 |
| 分类 | EEPROM |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| 接口类型 | I2C |
| 时钟频率(fc) | 1MHz |
| 数据保留 - TDR(年) | 100年 |
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)； 硬件写保护功能； 噪声抑制功能 |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 待机电流 | 2uA |
| 商品名称 | NV24C32MUW3VLTBG |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | EEPROM |
NV24C32MUW3VLTBG概述
ON Semiconductor的NV24C32LV是一款32 Kb CMOS串行EEPROM设备， 内部组织为128页， 每页32字节。 支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速加（1 MHz）I2C协议。 该器件具有1.7 V到5.5 V的工作电压范围， 32字节的页写缓冲区， 快速写入时间（最大4毫秒）， 硬件写保护， 低功耗CMOS技术， 1,000,000次编程/擦除周期， 100年的数据保留时间和汽车级1温度范围（-40°C至+125°C）。 提供US-8、UDFN-8、SOIC-8和TSSOP-8封装。
NV24C32MUW3VLTBG特性
暂无产品特性。
NV24C32MUW3VLTBG应用领域
暂无应用领域。