NUP4201MR6T1G-N
IC
SOT-23-6
可供量大可议
NUP4201MR6T1G-N
特性：60瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 SOT23-6封装。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容（Cj = 0.3pF， 典型值， IO到IO）。 应用：以太网。 数字视频接口（DVI）
品牌
BORN
封装
SOT-23-6
库存
1,790
货期
现货
NUP4201MR6T1G-N参数
| 封装 | SOT-23-6 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 1790 |
NUP4201MR6T1G-N概述
特性：60瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 SOT23-6封装。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容（Cj = 0.3pF， 典型值， IO到IO）。 应用：以太网。 数字视频接口（DVI）
NUP4201MR6T1G-N特性
暂无产品特性。
NUP4201MR6T1G-N应用领域
暂无应用领域。