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NUP3115UPMUTAG
IC

UDFN-6(1.6x1.6)

可供量大可议

NUP3115UPMUTAG

三线电压瞬态抑制器阵列旨在保护需要超低电容的电压敏感元件, 使其免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。 该器件采用共阳极设计, 可在单个六引脚超薄型UDFN封装中保护三条独立的高速数据线和一条VCC电源线。 出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间, 使其成为电路板空间有限设计中ESD保护的理想选择。 由于其电容较低, 适用于USB 2.0高速等高频设计。

品牌

onsemi

封装

UDFN-6(1.6x1.6)

库存

2

货期

现货

NUP3115UPMUTAG参数

封装UDFN-6(1.6x1.6)
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存2

NUP3115UPMUTAG概述

三线电压瞬态抑制器阵列旨在保护需要超低电容的电压敏感元件, 使其免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。 该器件采用共阳极设计, 可在单个六引脚超薄型UDFN封装中保护三条独立的高速数据线和一条VCC电源线。 出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间, 使其成为电路板空间有限设计中ESD保护的理想选择。 由于其电容较低, 适用于USB 2.0高速等高频设计。

NUP3115UPMUTAG特性

暂无产品特性。

NUP3115UPMUTAG应用领域

暂无应用领域。

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