NUP3115UPMUTAG
IC
UDFN-6(1.6x1.6)
可供量大可议
NUP3115UPMUTAG
三线电压瞬态抑制器阵列旨在保护需要超低电容的电压敏感元件, 使其免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。 该器件采用共阳极设计, 可在单个六引脚超薄型UDFN封装中保护三条独立的高速数据线和一条VCC电源线。 出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间, 使其成为电路板空间有限设计中ESD保护的理想选择。 由于其电容较低, 适用于USB 2.0高速等高频设计。
品牌
onsemi
封装
UDFN-6(1.6x1.6)
库存
2
货期
现货
NUP3115UPMUTAG参数
| 封装 | UDFN-6(1.6x1.6) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
NUP3115UPMUTAG概述
三线电压瞬态抑制器阵列旨在保护需要超低电容的电压敏感元件, 使其免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。 该器件采用共阳极设计, 可在单个六引脚超薄型UDFN封装中保护三条独立的高速数据线和一条VCC电源线。 出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间, 使其成为电路板空间有限设计中ESD保护的理想选择。 由于其电容较低, 适用于USB 2.0高速等高频设计。
NUP3115UPMUTAG特性
暂无产品特性。
NUP3115UPMUTAG应用领域
暂无应用领域。
