NTZD5110NT1G-VB
IC
SC75-6
可供量大可议
NTZD5110NT1G-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双N型沟道Trench技术的MOSFET， 适用于工作在60V的电路中。 SC75-6； 2个N—Channel沟道, 60V； 0.3A； RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V, VGS=12V； Vth=1.6V
品牌
VBsemi
封装
SC75-6
库存
605
货期
现货
NTZD5110NT1G-VB参数
| 封装 | SC75-6 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 605 |
NTZD5110NT1G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双N型沟道Trench技术的MOSFET， 适用于工作在60V的电路中。 SC75-6； 2个N—Channel沟道, 60V； 0.3A； RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V, VGS=12V； Vth=1.6V
NTZD5110NT1G-VB特性
暂无产品特性。
NTZD5110NT1G-VB应用领域
暂无应用领域。