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NTZD3155CT2G-VB
IC

SC-75-6

可供量大可议

NTZD3155CT2G-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款双N型和P型场效应晶体管, 采用Trench技术, 适用于电源管理模块、光伏逆变器、无线通信设备等领域。 SC75-6; N+P—Channel沟道, ±20V; 0.6/-0.3A; RDS(ON)=270/660mΩ@VGS=4.5V, VGS=20V; Vth=0.7/-0.8V

品牌

VBsemi

封装

SC-75-6

库存

4

货期

现货

NTZD3155CT2G-VB参数

封装SC-75-6
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存4

NTZD3155CT2G-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款双N型和P型场效应晶体管, 采用Trench技术, 适用于电源管理模块、光伏逆变器、无线通信设备等领域。 SC75-6; N+P—Channel沟道, ±20V; 0.6/-0.3A; RDS(ON)=270/660mΩ@VGS=4.5V, VGS=20V; Vth=0.7/-0.8V

NTZD3155CT2G-VB特性

暂无产品特性。

NTZD3155CT2G-VB应用领域

暂无应用领域。

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