NTZD3154NT1G-VB
IC
SC75-6
可供量大可议
NTZD3154NT1G-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双N型MOSFET， 采用Trench技术， 由于其小封装和低漏极电流特性， 适用于轻载和低功率应用场景。 SC75-6； 2个N—Channel沟道, 20V； 0.6A； RDS(ON)=300mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=0.4~1V
品牌
VBsemi
封装
SC75-6
库存
970
货期
现货
NTZD3154NT1G-VB参数
| 封装 | SC75-6 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 970 |
NTZD3154NT1G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双N型MOSFET， 采用Trench技术， 由于其小封装和低漏极电流特性， 适用于轻载和低功率应用场景。 SC75-6； 2个N—Channel沟道, 20V； 0.6A； RDS(ON)=300mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=0.4~1V
NTZD3154NT1G-VB特性
暂无产品特性。
NTZD3154NT1G-VB应用领域
暂无应用领域。