NTZD3154NT1G-MS
自营可供
IC
SOT-563
NTZD3154NT1G-MS
此款NTZD3154NT1G-MS为双N沟道增强型场效应管采用沟槽型DMOS工艺。 BVSS:20V RDSON:400mR@ID:0.55A可最大限度降低导通电阻， 具备优异的开关特性， 并能承受雪崩与换相模式下的高能脉冲。 该器件非常适用于高效率高速开关应用场景。
品牌
MSKSEMI
封装
SOT-563
交期
现货
批次
—
NTZD3154NT1G-MS参数
| 封装 | SOT-563 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 商品型号 | NTZD3154NT1G-MS |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.3067e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3000 |
| 商品名称 | NTZD3154NT1G-MS |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
NTZD3154NT1G-MS概述
此款NTZD3154NT1G-MS为双N沟道增强型场效应管采用沟槽型DMOS工艺。 BVSS:20V RDSON:400mR@ID:0.55A可最大限度降低导通电阻， 具备优异的开关特性， 并能承受雪崩与换相模式下的高能脉冲。 该器件非常适用于高效率高速开关应用场景。