NTTFSSCH0D7N02X
IC
WDFN-9(3.3x3.3)
可供量大可议
NTTFSSCH0D7N02X
特性：先进的源极朝下中心栅极双冷却封装技术（3.3×3.3mm）实现出色的热传导。 超低导通电阻， 提高系统效率。 低栅极电荷和电容， 使驱动和开关损耗最小化。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂， 符合RoHS标准。 应用：高开关频率DC-DC转换。 同步整流
品牌
onsemi
封装
WDFN-9(3.3x3.3)
库存
100
货期
现货
NTTFSSCH0D7N02X参数
| 封装 | WDFN-9(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
NTTFSSCH0D7N02X概述
特性：先进的源极朝下中心栅极双冷却封装技术（3.3×3.3mm）实现出色的热传导。 超低导通电阻， 提高系统效率。 低栅极电荷和电容， 使驱动和开关损耗最小化。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂， 符合RoHS标准。 应用：高开关频率DC-DC转换。 同步整流
NTTFSSCH0D7N02X特性
暂无产品特性。
NTTFSSCH0D7N02X应用领域
暂无应用领域。