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NTTFS5C680NLTAG-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

NTTFS5C680NLTAG-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流为20A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻24毫欧, 栅源驱动电压支持20V。 其适中的电流承载能力与低导通损耗特性, 使其适用于中功率开关电源、电动工具控制及便携式储能设备。 在各类直流变换电路中, 该器件能平衡效率与热管理需求, 为高可靠性电源系统提供稳定的开关性能支持。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

25

货期

现货

NTTFS5C680NLTAG-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存25

NTTFS5C680NLTAG-HXY概述

该N沟道场效应管额定漏极电流为20A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻24毫欧, 栅源驱动电压支持20V。 其适中的电流承载能力与低导通损耗特性, 使其适用于中功率开关电源、电动工具控制及便携式储能设备。 在各类直流变换电路中, 该器件能平衡效率与热管理需求, 为高可靠性电源系统提供稳定的开关性能支持。

NTTFS5C680NLTAG-HXY特性

暂无产品特性。

NTTFS5C680NLTAG-HXY应用领域

暂无应用领域。

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