NTTFS5C680NLTAG-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
NTTFS5C680NLTAG-HXY
该N沟道场效应管额定漏极电流为20A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻24毫欧, 栅源驱动电压支持20V。 其适中的电流承载能力与低导通损耗特性, 使其适用于中功率开关电源、电动工具控制及便携式储能设备。 在各类直流变换电路中, 该器件能平衡效率与热管理需求, 为高可靠性电源系统提供稳定的开关性能支持。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
25
货期
现货
NTTFS5C680NLTAG-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
NTTFS5C680NLTAG-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏极电流为20A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻24毫欧, 栅源驱动电压支持20V。 其适中的电流承载能力与低导通损耗特性, 使其适用于中功率开关电源、电动工具控制及便携式储能设备。 在各类直流变换电路中, 该器件能平衡效率与热管理需求, 为高可靠性电源系统提供稳定的开关性能支持。
NTTFS5C680NLTAG-HXY特性
暂无产品特性。
NTTFS5C680NLTAG-HXY应用领域
暂无应用领域。
