NTTFS5C658NLTAG-HXY

该N沟道场效应管具有60V的漏源电压（VDSS）和100A的连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻低至4mΩ， 可有效降低导通损耗， 提升系统效率。 其低电阻特性有助于减少发热， 适用于高电流开关应用。 器件采用标准封装， 便于集成于各类电源管理系统、高效能电机驱动电路及直流变换模块中， 适合对功率密度和能效有较高要求的设计场景， 为复杂电路提供可靠的开关控制性能。