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NTTFS5826NL-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

NTTFS5826NL-HXY

这款场效应管具有20A的电流承载能力, 60V的耐压特性, 内阻典型值为31mΩ, 适用于射频和通信领域。 其N型结构和20V的栅源电压使其在低功耗和高效率方面表现出色, 适用于多种应用场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

4,865

货期

现货

NTTFS5826NL-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存4865

NTTFS5826NL-HXY概述

这款场效应管具有20A的电流承载能力, 60V的耐压特性, 内阻典型值为31mΩ, 适用于射频和通信领域。 其N型结构和20V的栅源电压使其在低功耗和高效率方面表现出色, 适用于多种应用场景。

NTTFS5826NL-HXY特性

暂无产品特性。

NTTFS5826NL-HXY应用领域

暂无应用领域。

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