NTTFS4C13NTWG-HXY

该N沟道MOSFET具备35A的连续漏极电流和30V的最大漏源电压， 导通电阻为7.5毫欧。 其低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗， 提升系统效率。 器件适用于需要高效能开关操作的场合， 如电源管理模块、电池供电设备及高频DC-DC转换器等。 在合理的驱动条件下， 可实现快速开关响应， 同时维持较低的温升， 适合对体积与热性能有要求的紧凑型电子设计。