NTTFS4C05NTAG
IC
PDFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
NTTFS4C05NTAG
特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。 低电容以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷以最小化开关损耗。 这些器件为无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准。 应用：DC-DC转换器。 功率负载开关
品牌
onsemi
封装
PDFN-8(3.3x3.3)
库存
833
货期
现货
NTTFS4C05NTAG参数
| 封装 | PDFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 833 |
NTTFS4C05NTAG概述
特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。 低电容以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷以最小化开关损耗。 这些器件为无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准。 应用：DC-DC转换器。 功率负载开关
NTTFS4C05NTAG特性
暂无产品特性。
NTTFS4C05NTAG应用领域
暂无应用领域。