NTTFS4941NTWG-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。 器件适用于对导通损耗和效率要求较高的功率开关场景， 其低阻特性有助于减少发热并提升系统整体能效。 由于具备较高的电流承载能力和较低的导通压降， 可广泛用于电源管理、电池供电设备及各类高频率开关电路中， 满足紧凑型设计对高效能半导体器件的需求。