NTTFS4823NTWG-HXY

该N沟道MOSFET的连续漏极电流为35A， 最大漏源电压为30V， 导通电阻典型值为7.5毫欧。 其低导通电阻有助于在大电流工作条件下有效降低功率损耗和温升， 适用于高效率电源管理、同步整流、电池保护及各类中高功率开关电路。 器件在高频操作下仍能保持良好的动态性能， 适合对空间和热性能有较高要求的应用场景。