NTTFS4823NTAG-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流， 漏源击穿电压为30V， 导通电阻为7.5毫欧。 其较低的导通电阻有助于减少导通损耗， 在高频率开关应用中表现出良好的能效特性。 适用于对功率密度和热管理有较高要求的电源转换、同步整流及负载开关等电路， 能够在紧凑布局下维持稳定工作性能。