NTTFS2D1N04HLTWG
IC
PQFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
NTTFS2D1N04HLTWG
特性：最大RDS(on) = 2.1 mΩ， VGS = 10 V， ID = 23 A。 最大RDS(on) = 3.3 mΩ， VGS = 4.5 V， ID = 18 A。 高性能技术， 极低的RDS(on)。 这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂， 符合RoHS标准。 应用：DC-DC降压转换器。 负载点
品牌
onsemi
封装
PQFN-8(3.3x3.3)
库存
1
货期
现货
NTTFS2D1N04HLTWG参数
| 封装 | PQFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
NTTFS2D1N04HLTWG概述
特性：最大RDS(on) = 2.1 mΩ， VGS = 10 V， ID = 23 A。 最大RDS(on) = 3.3 mΩ， VGS = 4.5 V， ID = 18 A。 高性能技术， 极低的RDS(on)。 这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂， 符合RoHS标准。 应用：DC-DC降压转换器。 负载点
NTTFS2D1N04HLTWG特性
暂无产品特性。
NTTFS2D1N04HLTWG应用领域
暂无应用领域。