NTTFS1D8N02P1E
IC
PQFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
NTTFS1D8N02P1E
特性：小尺寸， 适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低栅极电荷QG和电容， 以最小化驱动损耗。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂， 符合RoHS标准。 应用：DC-DC转换器。 电源负载开关
Brand
onsemi
Package
PQFN-8(3.3x3.3)
Stock
8
货期
现货
NTTFS1D8N02P1EParameters
| 封装 | PQFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
NTTFS1D8N02P1E概述
特性：小尺寸， 适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低栅极电荷QG和电容， 以最小化驱动损耗。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂， 符合RoHS标准。 应用：DC-DC转换器。 电源负载开关
NTTFS1D8N02P1E特性
暂无产品特性。
NTTFS1D8N02P1E应用领域
暂无应用领域。