NTTFS015P03P8ZTAG
IC
WDFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
NTTFS015P03P8ZTAG
特性：超低导通电阻（RDS(on)）， 提高系统效率。 采用3.3x3.3mm先进封装技术， 节省空间并具有出色的热传导性能。 无铅、无卤/无溴化阻燃剂， 符合RoHS标准。 应用：电源负载开关保护：反向电流、过电压和反向负电压电池管理
品牌
onsemi
封装
WDFN-8(3.3x3.3)
库存
19
货期
现货
NTTFS015P03P8ZTAG参数
| 封装 | WDFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
NTTFS015P03P8ZTAG概述
特性：超低导通电阻（RDS(on)）， 提高系统效率。 采用3.3x3.3mm先进封装技术， 节省空间并具有出色的热传导性能。 无铅、无卤/无溴化阻燃剂， 符合RoHS标准。 应用：电源负载开关保护：反向电流、过电压和反向负电压电池管理
NTTFS015P03P8ZTAG特性
暂无产品特性。
NTTFS015P03P8ZTAG应用领域
暂无应用领域。