NTTFS015N04CTAG-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为60A， 漏源击穿电压VDSS为40V， 导通电阻RDON低至12mΩ， 栅源电压VGS为±20V。 该器件采用高性能硅工艺， 具备较低的导通损耗和高效的开关特性， 适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各类高密度电源系统中。 其封装设计便于散热与集成， 可在多种高要求电路环境中稳定工作， 提供可靠的能量传输表现。