NTTFS012N10MDTAG
IC
WDFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
NTTFS012N10MDTAG
特性：屏蔽栅MOSFET技术。 低RDS(on)以最小化传导损耗。 低QG和电容以最小化驱动损耗。 低QRR， 软恢复体二极管。 低QSS以提高轻载效率。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂、无铍， 并且符合RoHS标准。 应用：隔离式DC-DC转换器中的初级开关。 DC-DC和AC-DC中的同步整流（SR）
品牌
onsemi
封装
WDFN-8(3.3x3.3)
库存
8
货期
现货
NTTFS012N10MDTAG参数
| 封装 | WDFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
NTTFS012N10MDTAG概述
特性：屏蔽栅MOSFET技术。 低RDS(on)以最小化传导损耗。 低QG和电容以最小化驱动损耗。 低QRR， 软恢复体二极管。 低QSS以提高轻载效率。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂、无铍， 并且符合RoHS标准。 应用：隔离式DC-DC转换器中的初级开关。 DC-DC和AC-DC中的同步整流（SR）
NTTFS012N10MDTAG特性
暂无产品特性。
NTTFS012N10MDTAG应用领域
暂无应用领域。