NTTFS010N10MCLTAG
IC
WDFN-5(3.3x3.3)
可供量大可议
NTTFS010N10MCLTAG
这是一款N沟道MOSFET， 采用先进的POWERTRENCH工艺和屏蔽栅技术。 该工艺经过优化， 可最大限度地降低导通电阻， 同时保持卓越的开关性能和一流的软体二极管。
品牌
onsemi
封装
WDFN-5(3.3x3.3)
库存
153
货期
现货
NTTFS010N10MCLTAG参数
| 封装 | WDFN-5(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | NTTFS010N10MCLTAG |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.001078571 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 153 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.6mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 2.15nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 625pF |
| 商品名称 | 100V 50A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
NTTFS010N10MCLTAG概述
这款N沟道POWETRENCH MOSFET采用了集成屏蔽栅技术的先进POWERTRENCH工艺制造。 该工艺经过优化, 可在保持卓越开关性能和一流软体二极管的同时, 将导通电阻降至最低。
NTTFS010N10MCLTAG特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 15 A时, 最大rDS(on) = 10.6 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 12 A时, 最大rDS(on) = 15.9 mΩ
- Qrr比其他MOSFET供应商低50%
- 降低开关噪声/电磁干扰
- MSL1坚固封装设计
- 100%进行UIL测试
- 符合RoHS标准
NTTFS010N10MCLTAG应用领域
- 主DC-DC MOSFET-DC-DC和AC-DC中的同步整流器-电机驱动