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NTTFS004N04CTAG-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

NTTFS004N04CTAG-HXY

这款N沟道场效应管专为高效功率切换而设计, 其40V的漏源极耐压(VDSS)为电路提供了充足的安全裕度。 核心优势在于低至4.2mΩ的导通电阻(RDON), 这意味着在承载70A的连续漏极电流(ID)时, 器件自身的功耗与发热量极低, 从而显著提升系统能效。 ±20V的栅源极电压(VGS)范围确保了与各类驱动电路的良好兼容性。 凭借这些特性, 该元件非常适合应用于大电流负载开关、DC-DC转换器以及各类需要高效能功率管理的电子设备中。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

65

货期

现货

NTTFS004N04CTAG-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存65

NTTFS004N04CTAG-HXY概述

这款N沟道场效应管专为高效功率切换而设计, 其40V的漏源极耐压(VDSS)为电路提供了充足的安全裕度。 核心优势在于低至4.2mΩ的导通电阻(RDON), 这意味着在承载70A的连续漏极电流(ID)时, 器件自身的功耗与发热量极低, 从而显著提升系统能效。 ±20V的栅源极电压(VGS)范围确保了与各类驱动电路的良好兼容性。 凭借这些特性, 该元件非常适合应用于大电流负载开关、DC-DC转换器以及各类需要高效能功率管理的电子设备中。

NTTFS004N04CTAG-HXY特性

暂无产品特性。

NTTFS004N04CTAG-HXY应用领域

暂无应用领域。

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