NTTFS004N04CTAG-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
NTTFS004N04CTAG-HXY
这款N沟道场效应管专为高效功率切换而设计, 其40V的漏源极耐压(VDSS)为电路提供了充足的安全裕度。 核心优势在于低至4.2mΩ的导通电阻(RDON), 这意味着在承载70A的连续漏极电流(ID)时, 器件自身的功耗与发热量极低, 从而显著提升系统能效。 ±20V的栅源极电压(VGS)范围确保了与各类驱动电路的良好兼容性。 凭借这些特性, 该元件非常适合应用于大电流负载开关、DC-DC转换器以及各类需要高效能功率管理的电子设备中。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
65
货期
现货
NTTFS004N04CTAG-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 65 |
NTTFS004N04CTAG-HXY概述
这款N沟道场效应管专为高效功率切换而设计, 其40V的漏源极耐压(VDSS)为电路提供了充足的安全裕度。 核心优势在于低至4.2mΩ的导通电阻(RDON), 这意味着在承载70A的连续漏极电流(ID)时, 器件自身的功耗与发热量极低, 从而显著提升系统能效。 ±20V的栅源极电压(VGS)范围确保了与各类驱动电路的良好兼容性。 凭借这些特性, 该元件非常适合应用于大电流负载开关、DC-DC转换器以及各类需要高效能功率管理的电子设备中。
NTTFS004N04CTAG-HXY特性
暂无产品特性。
NTTFS004N04CTAG-HXY应用领域
暂无应用领域。
