NTS4101PT1G
IC
SOT-323
可供量大可议
NTS4101PT1G
场效应管(MOSFET) 329mW 20V 1.37A 1个P沟道
品牌
ON
封装
SOT-323
库存
16,310
货期
现货
NTS4101PT1G参数
| 封装 | SOT-323 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 输入电容(Ciss) | 840pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 16,310 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 329mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF |
| 类型 | P沟道 |
NTS4101PT1G概述
场效应管(MOSFET) 329mW 20V 1.37A 1个P沟道
NTS4101PT1G特性
暂无产品特性。
NTS4101PT1G应用领域
暂无应用领域。