NTS2101PT1G
IC
SOT-323
可供量大可议
NTS2101PT1G
场效应管(MOSFET) 290mW 8V 1.4A 1个P沟道
Brand
ON
Package
SOT-323
Stock
36,699
货期
现货
NTS2101PT1GParameters
| 封装 | SOT-323 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 117mΩ@1.8V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 输入电容(Ciss) | 640pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 36,699 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 8V |
| 耗散功率(Pd) | 330mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@5V |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF |
| 类型 | P沟道 |
NTS2101PT1G概述
场效应管(MOSFET) 290mW 8V 1.4A 1个P沟道
NTS2101PT1G特性
暂无产品特性。
NTS2101PT1G应用领域
暂无应用领域。