NTRV4101PT1G-HXY

该P沟道场效应管漏源击穿电压为20V， 连续漏极电流3A， 导通电阻60mΩ。 器件在低压应用中具备稳定的导通性能， 有助于减少功率损耗与温升。 适用于平板电脑电源管理、移动设备电池保护及便携式仪器负载开关等场景， 满足消费类电子产品对电路紧凑布局与能效表现的设计需求。