NTR5198NLT1G
自营可供
IC
SOT-23
NTR5198NLT1G
场效应管(MOSFET) 900mW 60V 1.7A 1个N沟道
品牌
ON
封装
SOT-23
交期
现货
批次
26+
NTR5198NLT1G参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 205mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 182pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8,905 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.1nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF |
| 类型 | N沟道 |
NTR5198NLT1G概述
场效应管(MOSFET) 900mW 60V 1.7A 1个N沟道