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NTR5198NLT1G
IC

SOT-23

可供量大可议

NTR5198NLT1G

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品牌

TECH PUBLIC

封装

SOT-23

库存

6,130

货期

现货

NTR5198NLT1G参数

封装SOT-23
品牌TECH PUBLIC/台舟电子
批次2531+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))205mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))2.5V
输入电容(Ciss)182pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)25pF
分类场效应管(MOSFET)
库存6130
MOQ / SPQ10 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)1.5W
栅极电荷量(Qg)5.1nC@10V
反向传输电容(Crss)16pF
类型N沟道

NTR5198NLT1G概述

场效应管(MOSFET) 900mW 60V 1.7A 1个N沟道

NTR5198NLT1G特性

暂无产品特性。

NTR5198NLT1G应用领域

暂无应用领域。

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