NTR5105PT1G
IC
SOT-23-3， TO-236
可供量大可议
NTR5105PT1G
򬓹 󺺆 𛾾 mW(Ta) 򘞟 򏟋 V 򬓹 V@ 򘞟 𢺫 򏟋 µA 󗙻 nC@ 𢺫 V 󗙻 个P沟道 𮧂 򏟋 V 𢺫 Ω@ 󗙻 򏟋 򏟋 mA, 󗙻 򏟋 V 󗙻 񤗸 𮧂 mA 򬓹 򏟋 񄂹 򬓹 pF@򘞟 𢺫 V SOT-򘞟 򬓹 -򬓹 TO-򘞟 򬓹 𮧂 贴片安装 򘞟 񄂹 񤗸 mm*󗙻 񄂹 򬓹 mm*󗙻 mm
品牌
ON
封装
SOT-23-3， TO-236
库存
31,169
货期
现货
NTR5105PT1G参数
| 封装 | SOT-23-3， TO-236 |
|---|---|
| 品牌 | ON |
| 批次 | 2542+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 30.3pF |
| 类型 | P沟道 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 31169 |
| MOQ / SPQ | 5 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 403mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@5V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
NTR5105PT1G概述
场效应管(MOSFET) 347mW 60V 196mA 1个P沟道
NTR5105PT1G特性
暂无产品特性。
NTR5105PT1G应用领域
暂无应用领域。