NTR4502PT1G(UMW)
IC
SOT-23
可供量大可议
NTR4502PT1G(UMW)
特性：使用先进沟槽技术， 提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 V(BR)DS = -30V。 ID = -3A。 RDS(ON) < 85mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 145mΩ (VGS = -4.5V)
品牌
UMW
封装
SOT-23
库存
2,810
货期
现货
NTR4502PT1G(UMW)参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2810 |
NTR4502PT1G(UMW)概述
特性：使用先进沟槽技术， 提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 V(BR)DS = -30V。 ID = -3A。 RDS(ON) < 85mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 145mΩ (VGS = -4.5V)
NTR4502PT1G(UMW)特性
暂无产品特性。
NTR4502PT1G(UMW)应用领域
暂无应用领域。