NTR4501NT1G
自营可供
IC
SOT-23
NTR4501NT1G
场效应管(MOSFET) 1.25W 20V 3.2A 1个N沟道
品牌
ON
封装
SOT-23
交期
现货
批次
两年内
NTR4501NT1G参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@2.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV |
| 输入电容(Ciss) | 200pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:20V 电流:3.2A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 195,346 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.4nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
| 商品型号 | NTR4501NT1G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3e-05 |
NTR4501NT1G概述
场效应管(MOSFET) 1.25W 20V 3.2A 1个N沟道
NTR4501NT1G特性
- 领先的平面技术, 实现低栅极电荷/快速开关
- 额定电压2.5 V, 适用于低电压栅极驱动
- SOT
- 23表面贴装, 占用空间小
- 采用NVR前缀, 适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用
- 符合AEC
- Q101标准, 可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅产品, 符合RoHS标准
NTR4501NT1G应用领域
- 便携式设备的负载/电源开关-计算设备的负载/电源开关-DC-DC转换