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NTR4171PT1G
IC

SOT-23

可供量大可议

NTR4171PT1G

场效应管(MOSFET) 480mW 30V 2.2A 1个P沟道

品牌

ON

封装

SOT-23

库存

17,159

货期

现货

NTR4171PT1G参数

封装SOT-23
品牌ON(安森美)
批次26+
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))150mΩ@2.5V
阈值电压(Vgs(th))1.4V
输入电容(Ciss)720pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)95pF
分类场效应管(MOSFET)
库存17,159
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)30V
耗散功率(Pd)1.25W
栅极电荷量(Qg)7.4nC@10V
反向传输电容(Crss)65pF
类型P沟道

NTR4171PT1G概述

场效应管(MOSFET) 480mW 30V 2.2A 1个P沟道

NTR4171PT1G特性

暂无产品特性。

NTR4171PT1G应用领域

暂无应用领域。

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