NTR4101PT1H-HXY

该P沟道场效应管最大漏极电流3A， 漏源击穿电压20V， 导通电阻60mΩ。 器件在低压电路中提供高效的反向开关控制， 适用于智能手机电源路径管理、便携式设备电池保护及内部负载切换应用。 其参数特性有助于平衡导通损耗与驱动需求， 简化外围电路设计， 满足消费类电子产品对紧凑布局与可靠运行的技术要求。