NTR4101PT1H
IC
SOT-23-3
可供量大可议
NTR4101PT1H
特性：领先的 -20V 沟槽技术， 实现低导通电阻。 -1.8V 额定电压， 适用于低电压栅极驱动。 SOT-23 表面贴装， 占用空间小。 NTRV 前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用； 符合 AEC-Q101 标准， 具备 PPAP 能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂， 符合 RoHS 标准。 应用：便携式设备的负载/电源管理。 计算机的负载/电源管理
品牌
onsemi
封装
SOT-23-3
库存
1
货期
现货
NTR4101PT1H参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
NTR4101PT1H概述
特性：领先的 -20V 沟槽技术， 实现低导通电阻。 -1.8V 额定电压， 适用于低电压栅极驱动。 SOT-23 表面贴装， 占用空间小。 NTRV 前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用； 符合 AEC-Q101 标准， 具备 PPAP 能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂， 符合 RoHS 标准。 应用：便携式设备的负载/电源管理。 计算机的负载/电源管理
NTR4101PT1H特性
暂无产品特性。
NTR4101PT1H应用领域
暂无应用领域。