NTR4101PT1G
IC
SOT-23
可供量大可议
NTR4101PT1G
场效应管(MOSFET) 420mW 20V 3.2A 1个P沟道
品牌
ON
封装
SOT-23
库存
66,373
货期
现货
NTR4101PT1G参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 25+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@1.8V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 输入电容(Ciss) | 675pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 66,373 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 730mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF |
| 类型 | P沟道 |
NTR4101PT1G概述
场效应管(MOSFET) 420mW 20V 3.2A 1个P沟道
NTR4101PT1G特性
暂无产品特性。
NTR4101PT1G应用领域
暂无应用领域。