NTR4003NT1G-MS
IC
SOT-23
可供量大可议
NTR4003NT1G-MS
N-沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。 这种先进技术经过专门设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。 这些器件非常适合高效快速开关应用。
品牌
MSKSEMI
封装
SOT-23
库存
930
货期
现货
NTR4003NT1G-MS参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 930 |
NTR4003NT1G-MS概述
N-沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。 这种先进技术经过专门设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。 这些器件非常适合高效快速开关应用。
NTR4003NT1G-MS特性
暂无产品特性。
NTR4003NT1G-MS应用领域
暂无应用领域。