NTR3162PT3G-HXY

该P沟道场效应管额定漏极电流4.2A， 漏源击穿电压20V， 导通电阻48毫欧， 栅源驱动电压12V。 器件专为高侧开关应用设计， 适用于笔记本电脑电源管理、电池组保护电路及便携式设备负载切换。 其参数特性支持在中等电流下实现高效通断控制， 配合12V驱动电平可简化逻辑接口， 满足消费电子对紧凑布局与稳定运行的技术要求。