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NTR3162PT1G-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

NTR3162PT1G-HXY

该P沟道场效应管漏极电流为4.2A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻48毫欧, 栅源驱动电压12V。 作为高侧开关或负载切换元件, 其参数适用于便携式设备电源管理、电池保护电路及信号路由模块。 器件在中等电流应用中提供可靠的反向极性控制, 配合12V逻辑电平驱动, 可简化外围电路设计, 满足消费电子对空间布局与功耗平衡的特定需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

90

货期

现货

NTR3162PT1G-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存90

NTR3162PT1G-HXY概述

该P沟道场效应管漏极电流为4.2A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻48毫欧, 栅源驱动电压12V。 作为高侧开关或负载切换元件, 其参数适用于便携式设备电源管理、电池保护电路及信号路由模块。 器件在中等电流应用中提供可靠的反向极性控制, 配合12V逻辑电平驱动, 可简化外围电路设计, 满足消费电子对空间布局与功耗平衡的特定需求。

NTR3162PT1G-HXY特性

暂无产品特性。

NTR3162PT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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