NTR3162PT1G-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
NTR3162PT1G-HXY
该P沟道场效应管漏极电流为4.2A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻48毫欧, 栅源驱动电压12V。 作为高侧开关或负载切换元件, 其参数适用于便携式设备电源管理、电池保护电路及信号路由模块。 器件在中等电流应用中提供可靠的反向极性控制, 配合12V逻辑电平驱动, 可简化外围电路设计, 满足消费电子对空间布局与功耗平衡的特定需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
90
货期
现货
NTR3162PT1G-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
NTR3162PT1G-HXY概述
该P沟道场效应管漏极电流为4.2A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻48毫欧, 栅源驱动电压12V。 作为高侧开关或负载切换元件, 其参数适用于便携式设备电源管理、电池保护电路及信号路由模块。 器件在中等电流应用中提供可靠的反向极性控制, 配合12V逻辑电平驱动, 可简化外围电路设计, 满足消费电子对空间布局与功耗平衡的特定需求。
NTR3162PT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NTR3162PT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
