NTR2101P
IC
SOT-23
可供量大可议
NTR2101P
特性：18V/-3A, RDS(ON) = 120mΩ(最大值) @VGS = -4.5V。 RDS(ON) = 150mΩ(最大值) @VGS = -2.5V。 超高密度单元设计， 实现极低的RDS(ON)。 可靠耐用。 SOT-23表面贴装封装。 应用：电源管理。 便携式设备和电池供电系统
品牌
SHIKUES
封装
SOT-23
库存
110
货期
现货
NTR2101P参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | SHIKUES(时科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 110 |
NTR2101P概述
特性：18V/-3A, RDS(ON) = 120mΩ(最大值) @VGS = -4.5V。 RDS(ON) = 150mΩ(最大值) @VGS = -2.5V。 超高密度单元设计， 实现极低的RDS(ON)。 可靠耐用。 SOT-23表面贴装封装。 应用：电源管理。 便携式设备和电池供电系统
NTR2101P特性
暂无产品特性。
NTR2101P应用领域
暂无应用领域。