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800 V SUPERFET III MOSFET 提供 800 V 击穿电压。 新的 800 V SUPERFET III MOSFET 针对反激式转换器的初级开关进行了优化， 由于其优化设计， 可在不牺牲 EMI 性能的情况下降低开关损耗和外壳温度。 此外， 内部齐纳二极管显著提高了 ESD 能力。 这个新的 800 V SUPERFET III MOSFET 系列因其在开关电源应用（如笔记本电脑适配器、音频、照明、ATX 电源和工业电源）中的卓越性能， 能够实现更高效、紧凑、低温和更可靠的应用。