NTPF095N65S3H-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
NTPF095N65S3H-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(ON)）为95mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件采用碳化硅材料， 具备优异的高频特性和高温工作能力， 适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。 其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效， 同时简化散热设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
14
货期
现货
NTPF095N65S3H-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 14 |
NTPF095N65S3H-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(ON)）为95mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件采用碳化硅材料， 具备优异的高频特性和高温工作能力， 适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。 其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效， 同时简化散热设计。
NTPF095N65S3H-HXY特性
暂无产品特性。
NTPF095N65S3H-HXY应用领域
暂无应用领域。