NTPF082N65S3F-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为650V， 连续漏极电流（ID）达18A， 导通电阻（RDS(ON)）为94mΩ， 栅源电压（VGS）工作范围为-10V至+25V。 器件基于碳化硅工艺， 具备高击穿电场强度与低导通损耗特性， 适用于高频、高效率的电源转换场合。 其宽VGS范围提升了驱动电路的适配能力， 在硬开关或软开关拓扑中均可实现稳定的开关性能和较低的温升。