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NTP5864NG-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

NTP5864NG-HXY

这款N沟道场效应管具备60安培的连续漏极电流承载能力, 漏源击穿电压为60伏。 其导通电阻低至11毫欧, 在通过大电流时显著降低功率损耗, 栅源电压耐受范围达20伏。 该器件适用于高电流密度的直流电源转换、无刷电机驱动控制以及电池组保护电路, 能够在高频开关环境下提供稳定的功率传输性能, 优化系统的热管理设计。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

23

货期

现货

NTP5864NG-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存23

NTP5864NG-HXY概述

这款N沟道场效应管具备60安培的连续漏极电流承载能力, 漏源击穿电压为60伏。 其导通电阻低至11毫欧, 在通过大电流时显著降低功率损耗, 栅源电压耐受范围达20伏。 该器件适用于高电流密度的直流电源转换、无刷电机驱动控制以及电池组保护电路, 能够在高频开关环境下提供稳定的功率传输性能, 优化系统的热管理设计。

NTP5864NG-HXY特性

暂无产品特性。

NTP5864NG-HXY应用领域

暂无应用领域。

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