NTP5864NG-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
NTP5864NG-HXY
这款N沟道场效应管具备60安培的连续漏极电流承载能力, 漏源击穿电压为60伏。 其导通电阻低至11毫欧, 在通过大电流时显著降低功率损耗, 栅源电压耐受范围达20伏。 该器件适用于高电流密度的直流电源转换、无刷电机驱动控制以及电池组保护电路, 能够在高频开关环境下提供稳定的功率传输性能, 优化系统的热管理设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
23
货期
现货
NTP5864NG-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 23 |
NTP5864NG-HXY概述
这款N沟道场效应管具备60安培的连续漏极电流承载能力, 漏源击穿电压为60伏。 其导通电阻低至11毫欧, 在通过大电流时显著降低功率损耗, 栅源电压耐受范围达20伏。 该器件适用于高电流密度的直流电源转换、无刷电机驱动控制以及电池组保护电路, 能够在高频开关环境下提供稳定的功率传输性能, 优化系统的热管理设计。
NTP5864NG-HXY特性
暂无产品特性。
NTP5864NG-HXY应用领域
暂无应用领域。
