NTMYS1D2N04CLTWG
自营可供
IC
DFN-5(5.9x4.9)
NTMYS1D2N04CLTWG
适用于紧凑和高效设计的工业用功率 MOSFET， 采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。
品牌
onsemi
封装
DFN-5(5.9x4.9)
交期
现货
批次
—
NTMYS1D2N04CLTWG参数
| 封装 | DFN-5(5.9x4.9) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 134W |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC |
| 反向传输电容(Crss) | 118pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | NTMYS1D2N04CLTWG |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000198 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 46 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.9mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 输入电容(Ciss) | 6.33nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 3nF |
| 商品名称 | NTMYS1D2N04CLTWG |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
NTMYS1D2N04CLTWG概述
适用于紧凑和高效设计的工业用功率 MOSFET， 采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。
NTMYS1D2N04CLTWG特性
- 小尺寸(5x6 mm), 适用于紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on), 以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容, 以最小化驱动损耗
- LFPAK4封装, 符合行业标准
- 这些器件为无铅产品, 符合RoHS标准