NTMTSC4D2N10GTXG
IC
TDFN-8-W(8.3x8.4)
可供量大可议
NTMTSC4D2N10GTXG
特性：宽安全工作区， 适用于线性模式操作。 低热阻RθJC， 以最小化传导损耗。 高脉冲单雪崩电流能力， 增强耐用性。 小尺寸封装（8x8 mm）， 顶部金属散热。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂， 符合RoHS标准。 应用：48 V热插拔系统。 负载开关
品牌
onsemi
封装
TDFN-8-W(8.3x8.4)
库存
8
货期
现货
NTMTSC4D2N10GTXG参数
| 封装 | TDFN-8-W(8.3x8.4) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
NTMTSC4D2N10GTXG概述
特性：宽安全工作区， 适用于线性模式操作。 低热阻RθJC， 以最小化传导损耗。 高脉冲单雪崩电流能力， 增强耐用性。 小尺寸封装（8x8 mm）， 顶部金属散热。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂， 符合RoHS标准。 应用：48 V热插拔系统。 负载开关
NTMTSC4D2N10GTXG特性
暂无产品特性。
NTMTSC4D2N10GTXG应用领域
暂无应用领域。