NTMTS0D6N04CLTXG
自营可供
IC
DFNW-8(8.4x8.3)
NTMTS0D6N04CLTXG
NTMTS0D6N04CLTXG
品牌
onsemi
封装
DFNW-8(8.4x8.3)
交期
现货
批次
—
NTMTS0D6N04CLTXG参数
| 封装 | DFNW-8(8.4x8.3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 245.4W |
| 栅极电荷量(Qg) | 126nC |
| 反向传输电容(Crss) | 299pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | NTMTS0D6N04CLTXG |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000545833 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 24 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.42mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 输入电容(Ciss) | 16.013nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 6.801nF |
| 商品名称 | NTMTS0D6N04CLTXG |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
NTMTS0D6N04CLTXG概述
NTMTS0D6N04CLTXG
NTMTS0D6N04CLTXG特性
- 小尺寸(8x8 mm), 适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on), 以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容, 以最小化驱动损耗
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂, 符合RoHS标准
NTMTS0D6N04CLTXG应用领域
- 电动工具、电池供电吸尘器
- 无人机、物料搬运设备
- 电池管理系统/储能、家庭自动化