NTMTS0D4N04CTXG

此 N 沟道 MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 Power Trench 工艺生产的， 该工艺结合了屏蔽门极技术。 此工艺经过了优化， 可最大程度降低导通电阻， 同时可保持卓越的开关性能， 以及业内最佳的软体二极管。