NTMTS001N06CTXG
IC
DFNW-8(8.3x8.4)
可供量大可议
NTMTS001N06CTXG
1个N沟道 耐压:60V 电流:53.7A 电流:376A
品牌
onsemi
封装
DFNW-8(8.3x8.4)
库存
22
货期
现货
NTMTS001N06CTXG参数
| 封装 | DFNW-8(8.3x8.4) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 244W； 5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 113nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 107pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | NTMTS001N06CTXG |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000436628 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 22 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.91mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 8.705nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 6.69nF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:60V 电流:53.7A 电流:376A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
NTMTS001N06CTXG概述
1个N沟道 耐压:60V 电流:53.7A 电流:376A
NTMTS001N06CTXG特性
- 小尺寸封装(8x8 mm), 适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on), 可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷QG和电容, 可将驱动损耗降至最低
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂, 符合RoHS标准
NTMTS001N06CTXG应用领域
- 电动工具、电池供电吸尘器
- 无人机、物料搬运
- 电池管理系统/储能、家庭自动化